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STN1NF20  与  BSP297 H6327  区别

型号 STN1NF20 BSP297 H6327
唯样编号 A36-STN1NF20 A-BSP297 H6327
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 表面贴装型 N 通道 200 V 1A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 1.8W
宽度 - 3.5mm
上升时间 - 3.8ns
漏源极电压Vds - 200V
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 16.1nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 470mS
典型关闭延迟时间 - 49ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA PG-SOT223-4
连续漏极电流Id - 660mA
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSP297
长度 - 6.5mm
下降时间 - 19ns
典型接通延迟时间 - 5.2ns
导通电阻Rds(On) -
高度 - 1.6mm
库存与单价
库存 3,868 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.42
100+ :  ¥2.736
1,000+ :  ¥2.436
2,000+ :  ¥2.304
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STN1NF20 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-261-4,TO-261AA

¥3.42 

阶梯数 价格
20: ¥3.42
100: ¥2.736
1,000: ¥2.436
2,000: ¥2.304
3,868 当前型号
BSP149 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

200V 660mA 1.8Ω@660mA,10V ±20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C SOT-223 车规

暂无价格 0 对比
BSP297 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

200V 660mA 1Ω 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT223-4

暂无价格 0 对比
SIHFL210-GE3 Vishay 未分类

暂无价格 0 对比

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